[부사리]메모리타이밍

By | 2009년 1월 14일
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메모리 타이밍이란 램이 작업을 수행할 때 걸리는 시간을 램 클럭을 기준으로 대기 시간을 정하는 옵션이다. 숫자를 적게 잡으면 램이 더 빠르게 작동하지만 신호를 놓쳐 시스템이 불안정해지는 원인이 되기도 한다.
오버클럭에 관심이 있다면 여러 사이트에서 램은 7-3-3-2.5 또는 6-3-3-2 등으로 했다는 말을 들어봤을 것이다. 바로 램 타이밍을 말하는 숫자다.

T(RAS) : Row Address Strobe. 데이터가 있는 곳의 행(raw) 주소를 받는 데에 걸리는 시간이다. 평균 6~8정도로 맞춘다.

T(RCD) : RAS-to-CAS Delay. 열 주소(columm address strobe) 와 행주소(row address strobe) 사이의 기다리는 시간을 말한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.

T(RP) : RAS precharge time. 한 사이클에 데이터가 몇번이나 돌아오는지 정한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.

CAS latency : 읽은 행 주소에 필요한 열 주소를 찾는데 걸리는 시간이다. 대부분 2~3이다. 흔히 램 상품 정보에 CL 2, CL 2.5, CL 3이라고 표시한 것이 CAS latency를 말한다. CL 2.5짜리가 가장 많고 이따금 CL 2나 CL 3짜리도 찾아볼 수 있다.

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